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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE01P13* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -13
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 230
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1734
总栅极电荷 QG(nC) 33
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE01P05S* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 3.1
品牌 新洁能

NCE01P03S* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 230
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1734
总栅极电荷 QG(nC) 33
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE60P82AD | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -82
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5604
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCE60P82A | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -82
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5604
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE60P82AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -82
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5604
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE60P70D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -70
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 73
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCE60P55K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -55
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3016.8
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE60P50K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6460
总栅极电荷 QG(nC) 75
耗散功率PD(W) 95
品牌 新洁能

NCE60P50 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6460
总栅极电荷 QG(nC) 75
耗散功率PD(W) 95
品牌 新洁能

NCE60P45AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -45
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 50
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1919.7
总栅极电荷 QG(nC) 37
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCE60P45K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -45
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2049
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE60P40F | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -40
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2049
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE60P28AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -28
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 43
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1477
总栅极电荷 QG(nC) 31
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE60P25K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3430
总栅极电荷 QG(nC) 46
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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