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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE60P25 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3430
总栅极电荷 QG(nC) 46
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCE60P17AQ | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -17
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630.7
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 32
品牌 新洁能

NCE60P16AQ | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -16
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1108
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE60P16AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -16
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1108
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 32
品牌 新洁能

NCE60P12K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -12
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 84
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 125
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630.7
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE60P12AS | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -12
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5604
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCE60P10K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -10
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 106
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 135
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 170
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 930
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE60P09AS | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -9
关断阈值电压VTH(V) -1.75
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 50
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2033
总栅极电荷 QG(nC) 41
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE60P09S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -9
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 38
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2049
总栅极电荷 QG(nC) 42.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE60P08AS | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -8
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1477
总栅极电荷 QG(nC) 31
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE60P07AS | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 70
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1153
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE60P05BY | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1153
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE60P05R | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1153
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 3.1
品牌 新洁能

NCE60P05N | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1153
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 3.1
品牌 新洁能

NCE60P04SN | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -4
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 106
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 135
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 170
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 930
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能
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