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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE40P20Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -20
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 21.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 31
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE40P15K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -15
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 930
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE40P13S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -13
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2800
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE40P07S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -6.2
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1750
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE40P06S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -6
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 47
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1150
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 2.2
品牌 新洁能

NCE40P06J | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -6
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 964
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE40P05Y | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -5.3
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 73
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 98
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 600
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE40P05S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -5.3
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 67
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 92
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 600
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE30P60G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4580
总栅极电荷 QG(nC) 138
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE30P55L | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251S
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -55
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3736
总栅极电荷 QG(nC) 71
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE30P50G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7016
总栅极电荷 QG(nC) 93
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCE30P30L | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251S
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1363
总栅极电荷 QG(nC) 31
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE30P30G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4222
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE30P30K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1363
总栅极电荷 QG(nC) 31
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCE30P28Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -28
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2060
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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