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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE3401A | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.4
关断阈值电压VTH(V) -1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 43
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 52
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 66
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 950
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 1.3
品牌 新洁能

NCE3407AY | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.3
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 52
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 700
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE3407A | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.3
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 42
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 90
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 700
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE3401Y | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.2
关断阈值电压VTH(V) -1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 47
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 56
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 72
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 130
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 880
总栅极电荷 QG(nC) 8.5
耗散功率PD(W) 1.2
品牌 新洁能

NCE3401 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.2
关断阈值电压VTH(V) -1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 56
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 72
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 130
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 880
总栅极电荷 QG(nC) 8.5
耗散功率PD(W) 1.2
品牌 新洁能

NCE3407 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.1
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 13
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE2303 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -2
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 72
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 110
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 180
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 226
总栅极电荷 QG(nC) 8.5
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE20P85GU | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -85
关断阈值电压VTH(V) -0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 12670
总栅极电荷 QG(nC) 115
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE20P70G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -70
关断阈值电压VTH(V) -0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 4950
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE20P45Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -45
关断阈值电压VTH(V) -0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 7177
总栅极电荷 QG(nC) 63.5
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE20P10J | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -10
关断阈值电压VTH(V) -0.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 36
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 2947.6
总栅极电荷 QG(nC) 34
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCE20P07N | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) -0.55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 53
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 1134
总栅极电荷 QG(nC) 13
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE20P05Y | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 620
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 1.6
品牌 新洁能

NCE2321A | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -4.5
关断阈值电压VTH(V) -0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 50
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1159
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE2323 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -4.1
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 740
总栅极电荷 QG(nC) 9
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能
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