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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE2305 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -4.1
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1120
总栅极电荷 QG(nC) 13.1
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE3415Y* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -4
关断阈值电压VTH(V) -0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 51
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 950
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE3415E* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -4
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 53
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 1173.2
总栅极电荷 QG(nC) 11
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE3415* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -4
关断阈值电压VTH(V) -0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 49
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 1181.1
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE2321 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -3.9
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 560
总栅极电荷 QG(nC) 8.5
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE2301 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 70
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 63
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 405
总栅极电荷 QG(nC) 3.3
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2301E* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -2.6
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 87
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 125
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 150
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 325
总栅极电荷 QG(nC) 3.2
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE2301B | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -2.6
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 76
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 325
总栅极电荷 QG(nC) 3.2
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE2301F | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -2
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 88
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 106
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 150
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 285
总栅极电荷 QG(nC) 2.9
耗散功率PD(W) 0.7
品牌 新洁能

NCE2301D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -2
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 97
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 135
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 140
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 170
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 290
总栅极电荷 QG(nC) 3
耗散功率PD(W) 0.7
品牌 新洁能

NCE1013E* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -0.66
关断阈值电压VTH(V) -0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 362
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 471
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 700
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 114
总栅极电荷 QG(nC) 1.44
耗散功率PD(W) 0.3
品牌 新洁能

NCE3417 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -15
漏极电流ID(A) -4.5
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 42
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 700
总栅极电荷 QG(nC) 8.1
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE2301A | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -15
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 90
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 405
总栅极电荷 QG(nC) 9
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2301C | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -15
漏极电流ID(A) -2.6
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 56
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 72
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 100
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 325
总栅极电荷 QG(nC) 3.2
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE1216 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -12
漏极电流ID(A) -16
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 2700
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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