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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE12P09S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -12
漏极电流ID(A) -9
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 2700
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE2333Y | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -12
漏极电流ID(A) -6
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1100
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.8
品牌 新洁能

NCE2305A | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -16
漏极电流ID(A) -4.1
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 740
总栅极电荷 QG(nC) 7.8
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCEP60P90AG | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -73
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4291
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP01P60D | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4600
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 230
品牌 新洁能

NCEP01P60D | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263-2L
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4600
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 230
品牌 新洁能

NCEP15P30AG | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 103
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 115
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1650
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP60P90AK | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -90
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4291
总栅极电荷 QG(nC) 64
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCEP15P30AK | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -29.5
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 105
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 107
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 125
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1650
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 235
品牌 新洁能

NCEP40PT30VD | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263-7L
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -300
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15148
总栅极电荷 QG(nC) 208.8
耗散功率PD(W) 390
品牌 新洁能

NCEP15P30A | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 83
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 92
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 110
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1650
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 230
品牌 新洁能

NCEP40PT13GU | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -130
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6100
总栅极电荷 QG(nC) 86
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP40PT13D | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -130
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6100
总栅极电荷 QG(nC) 86
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP40PT12K | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -120
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6100
总栅极电荷 QG(nC) 86
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP40P60K | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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