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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP40P60G | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCEP40P35GU | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1000
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP40P30Q | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 44
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1000
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCEP40P30K | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 31.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 44
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1000
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP01P35AG | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3445
总栅极电荷 QG(nC) 46
耗散功率PD(W) 95
品牌 新洁能

NCEP40P65QU | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -65
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCEP40P65GU | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -65
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP40P60Q | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP01P60AG | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -55
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6900
总栅极电荷 QG(nC) 86.5
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCEP01P60G | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -55
关断阈值电压VTH(V) -3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 29
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 61
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCEP01P40AGU | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -40
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) -1.7
输入电容CISS(pF) 3445
总栅极电荷 QG(nC) 46
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP01P35A | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 56
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3445
总栅极电荷 QG(nC) 46
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP01P35AK | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 56
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3445
总栅极电荷 QG(nC) 46
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCEP50P80AK | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -50
漏极电流ID(A) -80
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3445
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCEP50P80A | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -50
漏极电流ID(A) -80
关断阈值电压VTH(V) -1.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3445
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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