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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP50P80 | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -50
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) -2.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3550
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP40P07S | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 20.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1135
总栅极电荷 QG(nC) 45.7
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCEP40P80K | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -80
关断阈值电压VTH(V) -1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3700
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP40PT15G | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -150
关断阈值电压VTH(V) -1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8940
总栅极电荷 QG(nC) 104.4
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP40P80G | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -80
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3700
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP40PT15D | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -150
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8940
总栅极电荷 QG(nC) 104.4
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEP40P80D | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -80
关断阈值电压VTH(V) -1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3700
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP30P90K | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -90
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3700
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCEP30PT16G | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -160
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7962
总栅极电荷 QG(nC) 106.5
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP30P90G | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 337
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -90
关断阈值电压VTH(V) -1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3700
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP01ND35AG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE01ND03S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 140
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 730
总栅极电荷 QG(nC) 21.5
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE60ND45AG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEP60ND60G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1700
总栅极电荷 QG(nC) 28.5
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP60ND30AG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1010
总栅极电荷 QG(nC) 21.8
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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