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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE60ND45G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2622.3
总栅极电荷 QG(nC) 52
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE60ND20AK | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TO-252
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE60ND18G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 18
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE60ND09AS | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2180
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 2.6
品牌 新洁能

NCE6005AS | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 979
总栅极电荷 QG(nC) 22
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCEP40ND80G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2300
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE30ND35Q | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 3*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1000
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE30ND09S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1210
总栅极电荷 QG(nC) 17.5
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE30D0808J | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 2*2
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 34
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 558
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE8601B* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 26
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 870
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 2
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE30ND07S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 380
总栅极电荷 QG(nC) 7.2
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE30ND07AS | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 657.1
总栅极电荷 QG(nC) 9.4
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE30ND07BS | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 6.5
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 44
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 9.3
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE6802 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 3.5
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 59
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 70
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 170
总栅极电荷 QG(nC) 4
耗散功率PD(W) 1.2
品牌 新洁能

NCE4612SP* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB CSP
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 24
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 58
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 873.5
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.6
Specialfeature ESD
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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