简体 繁体 EN Maori bosnian Quechua a n:n zongjia hrvatski Eʋegbe Кыргыз тили suomi ТаjikӣName 한국어 albanian italiano baskoa ਪੰਜਾਬੀName potakuyan amharic Mizo tawng Soomaali frysk ελληνικά adeta کوردی سۆرانی ትግርኛ igbo português اوردو slovenščina Deutsch മലമാലം eesti keel मराठीName IsiZulu saseNingizimu Afrika luganda sesotho Malay български Македонски Türkçe Kurdî سنڌي LëtzebuergeschName ދިވާރީވް hmong پښتوName ဗာရမ် Արմենյան คนไทย Malagasy मरातिलीName Svenska कुकुरमुत्ता Kreyòl ayisyen Română తెలుగుName Монгол ກະຣຸນາ aymara. Pilipino 日本語 Iaith Weleg Gàidhlig na h-Alba Татар Україна latviešu galico Polski Sanskrit cebuano සිංගාපුර් català assamese Türkmençe Malti Lingala Tiếng Việt o'zbek Lietuva Bamanankan Shona ꯃꯦꯏꯇꯦꯏ꯫ Afrikaans isiXhosa ئۇيغۇر dansk IndonesiaName afrikaans lifiava azerbaijani বেঙ্গালী بالعربية தாமில் basa Sunda Ilocano magyar ಕನ್ನಡ್Name היברית Slovenská ភាសា​ខ្មែរName ગુજરાતી Íris Ma frɛ ייַדיש ÍslandName ଓଡିଆ Kiswahili қазақ Esperanto БеларускаяName हिन्दी basa jawa हमार कपार दर्द करता। Persian Српски Русский язык ჯორჯიანიName panekeʻhaka český Français नेपालीName Latina गोंगेन हें नांव Yoruba nederlands Norge dictionary variant Kinyarwanda ondoho hinaassicurasol Sepeti Español
登录 注册
返回
热门搜索： MLCC贴片电容 IGBT模块 MOSFET 肖特基二极管 电源管理IC

产品搜索结果

包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE4618SP* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB CSP
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 24
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.83
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 21.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
总栅极电荷 QG(nC) 25.4
耗散功率PD(W) 1.6
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE8651Q* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 3*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 8.6
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 15.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1255
总栅极电荷 QG(nC) 29
耗散功率PD(W) 1.5
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE8804* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 1800
总栅极电荷 QG(nC) 17.9
耗散功率PD(W) 2
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE2008N | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 7.6
关断阈值电压VTH(V) 0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
耗散功率PD(W) 1.35
品牌 新洁能

NCE2006NE* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1150
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 1.5
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE2010E* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 24
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 1150
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 1.5
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE20ND07U* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 2*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 14.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 811.1
总栅极电荷 QG(nC) 14.2
耗散功率PD(W) 1.5
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE20ND06 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 620
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.6
品牌 新洁能

NCE2008E* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 8
耗散功率PD(W) 1.5
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE2004NE* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 8
耗散功率PD(W) 1.25
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE2007NS | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 565
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE2007N | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE9926 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 37
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 640
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE8205B | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE8205t | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOT-23
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 550
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
微信二维码
二维码
TOP 返回顶部