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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE8205i | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 550
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE18ND11U* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 2*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 18
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 10.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1550
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE1230SP | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB CSP
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 12
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±8
输入电容CISS(pF) 7510
总栅极电荷 QG(nC) 84.3
耗散功率PD(W) 4
品牌 新洁能

NCE1220SP* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB CSP
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 12
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 2560
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 2.1
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE1227SP* | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB CSP
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 12
漏极电流ID(A) 27
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 3870
总栅极电荷 QG(nC) 43
耗散功率PD(W) 3.5
Specialfeature ESD
品牌 新洁能

NCE4963 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1210
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE20PD05 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB TSSOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 32.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1025
总栅极电荷 QG(nC) 13
耗散功率PD(W) 1.6
品牌 新洁能

NCE30PD08S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -8
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 2.9
品牌 新洁能

NCE4953A | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -5.3
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 49
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 540
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 2.6
品牌 新洁能

NCE4953 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -5.1
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 43
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 90
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 520
总栅极电荷 QG(nC) 11
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE4801 | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 41
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 49
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 57
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 880
总栅极电荷 QG(nC) 8.5
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE55P04S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 P+P
漏源击穿电压VDSS(V) -55
漏极电流ID(A) -4
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 66
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 75
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1450
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE60ND40AG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 23
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 35.1
耗散功率PD(W) 52
品牌 新洁能

NCE60ND14G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 51
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 54.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 76
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 558.1
总栅极电荷 QG(nC) 29.8
耗散功率PD(W) 23
品牌 新洁能

NCE60ND45XG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2970
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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