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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP40ND60G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT双芯
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1280
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEP40ND60AG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1040
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEB401G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 43
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEB402G | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 48
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1150
总栅极电荷 QG(nC) 32.5
耗散功率PD(W) 39
品牌 新洁能

NCE20ND14Q | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2912
总栅极电荷 QG(nC) 41.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCEP40ND40AG | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT双芯
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 725
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能

NCE40ND25Q | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 24
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 964
总栅极电荷 QG(nC) 22.9
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCE20ND15Q | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

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产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 3*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 15
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.7
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2912
总栅极电荷 QG(nC) 41.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE20ND08U | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB DFN 2*3
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1550
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE40ND0812S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1780
总栅极电荷 QG(nC) 38.2
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE40ND0812S | 双 N+P 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 336
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench双芯
封装/PCB SOP-8
极性 N+N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1780
总栅极电荷 QG(nC) 38.2
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCEPB305GU | 半桥 N 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 335
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT半桥
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 255
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1400
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEPB303GU | 半桥 N 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 335
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT半桥
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3372
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCEPB302G | 半桥 N 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 335
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT半桥
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2200
总栅极电荷 QG(nC) 34.6
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEB301G | 半桥 N 沟道 MOSFET 12-300V NP MOS

查看详情
产品ID 335
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench半桥
封装/PCB DFN5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2330
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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