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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE50NF800K | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

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产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 500
漏极电流ID(A) 4.6
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 720
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 720
总栅极电荷 QG(nC) 800
耗散功率PD(W) 47
品牌 新洁能

NCE60NF540 | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 7.5
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 500
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 540
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 528
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE60NF260FW | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220FW
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 230
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 260
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 946
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 33.2
品牌 新洁能

NCE60NF540FW | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220FW
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 7.5
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 500
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 540
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 528
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 31.4
品牌 新洁能

NCE60NF160FW | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220FW
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 21
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 145
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1499
总栅极电荷 QG(nC) 31.6
耗散功率PD(W) 33.9
品牌 新洁能

NCE50NF130G | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 500
漏极电流ID(A) 23.5
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 110
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1544
总栅极电荷 QG(nC) 24.5
耗散功率PD(W) 186
品牌 新洁能

NCE50NF2K4K | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

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产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 500
漏极电流ID(A) 1.4
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2000
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2400
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 85
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 18
品牌 新洁能

NCE60NF260G | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 230
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 260
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 946
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCE50NF450D | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

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产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 500
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 400
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 450
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 535
总栅极电荷 QG(nC) 12.9
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCE65NF240 | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

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产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 16
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 240
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1188
总栅极电荷 QG(nC) 25.3
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCE50NF800 | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 500
漏极电流ID(A) 4.6
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 680
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 309
总栅极电荷 QG(nC) 9.6
耗散功率PD(W) 47
品牌 新洁能

NCE50NF130 | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 500
漏极电流ID(A) 23.5
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 110
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1544
总栅极电荷 QG(nC) 24.5
耗散功率PD(W) 186
品牌 新洁能

NCE80NF140F | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 800
漏极电流ID(A) 29
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 115
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 140
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3300
总栅极电荷 QG(nC) 61
耗散功率PD(W) 34.1
品牌 新洁能

NCE65NF240F | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 16
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 240
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1180
总栅极电荷 QG(nC) 25.3
耗散功率PD(W) 33.3
品牌 新洁能

NCE65NF300F | 500-800V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1700V N MOS

查看详情
产品ID 332
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV NF
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 13
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 265
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 300
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 877
总栅极电荷 QG(nC) 20.7
耗散功率PD(W) 29.9
品牌 新洁能
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