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包含关键字 "IGBT" 的所有数据

产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 100
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.3
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.19
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 150
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.3
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.14
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 200
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.3
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.11
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 300
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.3
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.08
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 300
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.65
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.075
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 450
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.055
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 600
代系工艺 /
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.04
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GS
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 75
代系工艺 M3i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.15
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.27
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GS
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 100
代系工艺 M3i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.15
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.22
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 150
代系工艺 M3i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.05
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.132
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 200
代系工艺 M3i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.2
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.1
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 300
代系工艺 M3i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.15
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.085
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 600
代系工艺 M6i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.039
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GW
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1700
最大连续集电极电流IC (A) 75
代系工艺 M3i
拓扑结构 All in one/高压变频一体化
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 2.15
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.3
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GS
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 40
代系工艺 M3i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.5
品牌 宏微
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