简体 繁体 EN Maori bosnian Quechua a n:n zongjia hrvatski Eʋegbe Кыргыз тили suomi ТаjikӣName 한국어 albanian italiano baskoa ਪੰਜਾਬੀName potakuyan amharic Mizo tawng Soomaali frysk ελληνικά adeta کوردی سۆرانی ትግርኛ igbo português اوردو slovenščina Deutsch മലമാലം eesti keel मराठीName IsiZulu saseNingizimu Afrika luganda sesotho Malay български Македонски Türkçe Kurdî سنڌي LëtzebuergeschName ދިވާރީވް hmong پښتوName ဗာရမ် Արմենյան คนไทย Malagasy मरातिलीName Svenska कुकुरमुत्ता Kreyòl ayisyen Română తెలుగుName Монгол ກະຣຸນາ aymara. Pilipino 日本語 Iaith Weleg Gàidhlig na h-Alba Татар Україна latviešu galico Polski Sanskrit cebuano සිංගාපුර් català assamese Türkmençe Malti Lingala Tiếng Việt o'zbek Lietuva Bamanankan Shona ꯃꯦꯏꯇꯦꯏ꯫ Afrikaans isiXhosa ئۇيغۇر dansk IndonesiaName afrikaans lifiava azerbaijani বেঙ্গালী بالعربية தாமில் basa Sunda Ilocano magyar ಕನ್ನಡ್Name היברית Slovenská ភាសា​ខ្មែរName ગુજરાતી Íris Ma frɛ ייַדיש ÍslandName ଓଡିଆ Kiswahili қазақ Esperanto БеларускаяName हिन्दी basa jawa हमार कपार दर्द करता। Persian Српски Русский язык ჯორჯიანიName panekeʻhaka český Français नेपालीName Latina गोंगेन हें नांव Yoruba nederlands Norge dictionary variant Kinyarwanda ondoho hinaassicurasol Sepeti Español
返回

产品搜索结果

包含关键字 "IGBT" 的所有数据

产品ID 357
封装/PCB GC
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 80
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level T-NPC/三电平 T-NPC
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.9
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.54
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWQ
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 560
代系工艺 M7i
拓扑结构 3-level T-NPC/三电平 T-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.5
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.09
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 300
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.09
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 300
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.09
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GHE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 75
代系工艺 M7i
拓扑结构 PIM 功率集成模块
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.55
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.44
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWQ
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 450
代系工艺 M7i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.53
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.107
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GW
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 50
代系工艺 M3i
拓扑结构 3 Phase Rectifier Sixpack/整流六单元
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.85
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.44
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 600
代系工艺 M6i
拓扑结构 半桥 Half Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.7
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.051
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 25
代系工艺 M3i
拓扑结构 3 Phase Rectifier Sixpack/整流六单元
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.85
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.75
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 35
代系工艺 M3i
拓扑结构 3 Phase Rectifier Sixpack/整流六单元
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.8
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.6
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 50
代系工艺 M7i
拓扑结构 PIM 功率集成模块
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.45
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.44
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GS
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1200
最大连续集电极电流IC (A) 75
代系工艺 M3i
拓扑结构 一单元升压型 Boost chopper
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.8
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.38
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GWQ
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 1000
最大连续集电极电流IC (A) 600
代系工艺 M7i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.8
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.097
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GVC
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 400
代系工艺 M4i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.21
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.14
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GVD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 400
代系工艺 M4i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.4
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.146
品牌 宏微
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
微信二维码
二维码
TOP 返回顶部