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包含关键字 "IGBT" 的所有数据

产品ID 357
封装/PCB GVD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 400
代系工艺 M4i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.35
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.141
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GV
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 820
代系工艺 /
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 Pinfin基板
VCE (sat) (V) 1.6
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.12
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GV
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 820
代系工艺 M4i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 Pinfin基板
VCE (sat) (V) 1.15
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.14
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GVB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 400
代系工艺 M4i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.21
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.107
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GVD
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 280
代系工艺 M7i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.38
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.252
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GV
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 600
代系工艺 M7i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 Pinfin基板
VCE (sat) (V) 1.11
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.16
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GV
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 820
代系工艺 M7i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 Pinfin基板
VCE (sat) (V) 1.1
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.12
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GV
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 750
最大连续集电极电流IC (A) 950
代系工艺 M7i
拓扑结构 三相全桥 Three Phase Bridge
产品特点 Pinfin基板
VCE (sat) (V) 1.08
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.115
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 150
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.55
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.34
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 200
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.55
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.25
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GB
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 300
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 平板基板
VCE (sat) (V) 1.55
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.17
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 100
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.55
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.45
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 150
代系工艺 M3i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.65
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.45
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 200
代系工艺 M5i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.5
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.32
品牌 宏微
产品ID 357
封装/PCB GCE
集电极 - 发射极击穿电压VCES (V) 650
最大连续集电极电流IC (A) 150
代系工艺 M6i
拓扑结构 3-level I-NPC/三电平 I-NPC
产品特点 无铜基板
VCE (sat) (V) 1.4
集电极 - 发射极饱和压降RthJC (K/W) 0.4
品牌 宏微
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