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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP0112AS | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3270
总栅极电荷 QG(nC) 51.2
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP0109AR | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 37
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCEP0107AR | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 105
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 443
总栅极电荷 QG(nC) 7.2
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCEP0107R | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 322
总栅极电荷 QG(nC) 5.6
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCEP0120Q | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 42
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 587.5
总栅极电荷 QG(nC) 11.4
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEP01T10G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 105
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4300
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCEP0190G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3458
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP0160AG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 65
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCEP0160G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3500
总栅极电荷 QG(nC) 48
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCEP0155AG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3100
总栅极电荷 QG(nC) 51
耗散功率PD(W) 78
品牌 新洁能

NCEP0140AG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCEP01T18VD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 189
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11500
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP01T18D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11500
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP01T13BD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10900
总栅极电荷 QG(nC) 150
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP01T13AD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6400
总栅极电荷 QG(nC) 92
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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