简体 繁体 EN Maori bosnian Quechua a n:n zongjia hrvatski Eʋegbe Кыргыз тили suomi ТаjikӣName 한국어 albanian italiano baskoa ਪੰਜਾਬੀName potakuyan amharic Mizo tawng Soomaali frysk ελληνικά adeta کوردی سۆرانی ትግርኛ igbo português اوردو slovenščina Deutsch മലമാലം eesti keel मराठीName IsiZulu saseNingizimu Afrika luganda sesotho Malay български Македонски Türkçe Kurdî سنڌي LëtzebuergeschName ދިވާރީވް hmong پښتوName ဗာရမ် Արմենյան คนไทย Malagasy मरातिलीName Svenska कुकुरमुत्ता Kreyòl ayisyen Română తెలుగుName Монгол ກະຣຸນາ aymara. Pilipino 日本語 Iaith Weleg Gàidhlig na h-Alba Татар Україна latviešu galico Polski Sanskrit cebuano සිංගාපුර් català assamese Türkmençe Malti Lingala Tiếng Việt o'zbek Lietuva Bamanankan Shona ꯃꯦꯏꯇꯦꯏ꯫ Afrikaans isiXhosa ئۇيغۇر dansk IndonesiaName afrikaans lifiava azerbaijani বেঙ্গালী بالعربية தாமில் basa Sunda Ilocano magyar ಕನ್ನಡ್Name היברית Slovenská ភាសា​ខ្មែរName ગુજરાતી Íris Ma frɛ ייַדיש ÍslandName ଓଡିଆ Kiswahili қазақ Esperanto БеларускаяName हिन्दी basa jawa हमार कपार दर्द करता। Persian Српски Русский язык ჯორჯიანიName panekeʻhaka český Français नेपालीName Latina गोंगेन हें नांव Yoruba nederlands Norge dictionary variant Kinyarwanda ondoho hinaassicurasol Sepeti Español
登录 注册
返回
热门搜索： MLCC贴片电容 IGBT模块 MOSFET 肖特基二极管 电源管理IC

产品搜索结果

包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP0135A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP16N85AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 31
耗散功率PD(W) 138
品牌 新洁能

NCEP85T30LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 330
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10700
总栅极电荷 QG(nC) 142
耗散功率PD(W) 450
品牌 新洁能

NCEP85T35T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 350
关断阈值电压VTH(V) 3.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 19500
总栅极电荷 QG(nC) 324
耗散功率PD(W) 520
品牌 新洁能

NCEP85T30T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14500
总栅极电荷 QG(nC) 170
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP85T25T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10700
总栅极电荷 QG(nC) 142
耗散功率PD(W) 360
品牌 新洁能

NCEP8818AS | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 18
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5360
总栅极电荷 QG(nC) 79
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP8814AS | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3696
总栅极电荷 QG(nC) 54
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP8814S | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3696
总栅极电荷 QG(nC) 37
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP85T10G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 88
品牌 新洁能

NCEP85T25VD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10700
总栅极电荷 QG(nC) 142
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP85T25D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10700
总栅极电荷 QG(nC) 142
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP85T16D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8500
总栅极电荷 QG(nC) 105
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP85T15D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6200
总栅极电荷 QG(nC) 94
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP85T14D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5600
总栅极电荷 QG(nC) 84
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
微信二维码
二维码
TOP 返回顶部