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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP85T12D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP85T25 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10700
总栅极电荷 QG(nC) 142
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP85T16 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8500
总栅极电荷 QG(nC) 105
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP85T15 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6200
总栅极电荷 QG(nC) 94
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP85T14 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5600
总栅极电荷 QG(nC) 84
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP85T12 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP85T11 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3870
总栅极电荷 QG(nC) 54
耗散功率PD(W) 145
品牌 新洁能

NCEP8588 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 88
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3000
总栅极电荷 QG(nC) 42.2
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能

NCE80H12 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6500
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCE80H12D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6500
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP60T12AD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP6035AQU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1010
总栅极电荷 QG(nC) 21.8
耗散功率PD(W) 41
品牌 新洁能

NCEP60T20LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8600
总栅极电荷 QG(nC) 129
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能

NCEP60T20T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8600
总栅极电荷 QG(nC) 129
耗散功率PD(W) 255
品牌 新洁能

NCEP60T12T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3400
总栅极电荷 QG(nC) 51.4
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能
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