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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP6090 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1700
总栅极电荷 QG(nC) 26.9
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP40T35AVD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 350
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.88
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 12850
总栅极电荷 QG(nC) 156.5
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEP40T11AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP40T17AD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5670
总栅极电荷 QG(nC) 88.6
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEP40T20AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP40T17AT | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5670
总栅极电荷 QG(nC) 88.6
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEP40T35ALL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 350
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.63
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11669
总栅极电荷 QG(nC) 182
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEP40T20ALL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP40T11K | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3510
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP4065QU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2300
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP4060EQ | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 34.3
耗散功率PD(W) 48
品牌 新洁能

NCEP4040Q | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 831
总栅极电荷 QG(nC) 17.6
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCEP40T20GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8085
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP40T19GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 185
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7400
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP40T17AG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5670
总栅极电荷 QG(nC) 88.6
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能
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