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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP40T17G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.55
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7400
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP40T15G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 95
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP40T15AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4135
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP40T15GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.09
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5200
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP40T14G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 133
品牌 新洁能

NCEP40T13GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3334
总栅极电荷 QG(nC) 58.5
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP40T13AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 28
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP40T12AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.05
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1820
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP40T12GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.05
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2250
总栅极电荷 QG(nC) 44
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP40T11G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3510
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP40T11AG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2290
总栅极电荷 QG(nC) 30.4
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP4090AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1695
总栅极电荷 QG(nC) 28
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP4090GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2300
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP4085EG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 85
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 34.3
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP4045GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 831
总栅极电荷 QG(nC) 17.6
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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