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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP40T20A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能

NCEP40T17A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5670
总栅极电荷 QG(nC) 88.6
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEP40T15A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 2.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP40T11 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3510
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP3065BQU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 0.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.95
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3115
总栅极电荷 QG(nC) 30.4
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP3065QU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 34.8
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP3060EQ | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2200
总栅极电荷 QG(nC) 34.6
耗散功率PD(W) 48
品牌 新洁能

NCEP3040Q | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 822
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCEP30T21GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.72
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8085
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP30T19G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 185
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7350
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP30T17G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6150
总栅极电荷 QG(nC) 98
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP30T17GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.97
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5300
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP30T15GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3372
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP30T13GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2394
总栅极电荷 QG(nC) 39.6
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP30T12G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3550
总栅极电荷 QG(nC) 63
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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