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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP3090GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 34.8
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP3085EG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 85
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2200
总栅极电荷 QG(nC) 34.6
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP3045BGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1125
总栅极电荷 QG(nC) 13.8
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能

NCEP3045GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 822
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能

NCEP025F90LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 250
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 405
品牌 新洁能

NCEP02525D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 250
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 70
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1680
总栅极电荷 QG(nC) 25.5
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP4045AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 700
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能

NCEP40T20AD | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能

NCEP1545 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1438
总栅极电荷 QG(nC) 25.5
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP12N60AQ | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 39
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 940
总栅极电荷 QG(nC) 19.8
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEP40T35LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 350
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.62
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.81
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14895
总栅极电荷 QG(nC) 230
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEP40T11A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2700
总栅极电荷 QG(nC) 39.5
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP1508S | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1125
总栅极电荷 QG(nC) 19.8
耗散功率PD(W) 5
品牌 新洁能

NCEP1580F | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 42
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3200
总栅极电荷 QG(nC) 44.1
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP40T14A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4180
总栅极电荷 QG(nC) 59.5
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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