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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP4075AGU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1050
总栅极电荷 QG(nC) 18
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP4075GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1190
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP1575GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2200
总栅极电荷 QG(nC) 34.5
耗散功率PD(W) 175
品牌 新洁能

NCEP40T20ASL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 340
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能

NCEP15T18T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.45
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7100
总栅极电荷 QG(nC) 97
耗散功率PD(W) 360
品牌 新洁能

NCEP15T26LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 255
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7100
总栅极电荷 QG(nC) 97
耗散功率PD(W) 690
品牌 新洁能

NCEP6090D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1700
总栅极电荷 QG(nC) 26.9
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP0260D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 16.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3300
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCEP0260 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 16.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3300
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCEP40T16LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4800
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP40T15AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能

NCEP019N10T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 340
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10800
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 520
品牌 新洁能

NCEP1545A | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1935
总栅极电荷 QG(nC) 33
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP30T22GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 220
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.62
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.08
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6950
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP025F90D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 250
漏极电流ID(A) 90
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6594
总栅极电荷 QG(nC) 90.9
耗散功率PD(W) 330
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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