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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP090N20T | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 535
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEP090N20D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 95
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEP090N20 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 95
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEP0230D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
输入电容CISS(pF) 1635
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCEP025N12LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 255
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15500
总栅极电荷 QG(nC) 225
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP028N12LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 12700
总栅极电荷 QG(nC) 213
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEP12N12AS | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2800
总栅极电荷 QG(nC) 56
耗散功率PD(W) 3.4
品牌 新洁能

NCEP080N12I | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3715
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP10N12AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 70.8
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP10N12K | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3080
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP12N12AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2800
总栅极电荷 QG(nC) 56
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCEP12N12K | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2230
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCEP050N12AGU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5786
总栅极电荷 QG(nC) 96
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP050N12GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5250
总栅极电荷 QG(nC) 99
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP050N12G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6221.3
总栅极电荷 QG(nC) 117.3
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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