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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP055N12AG | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5786
总栅极电荷 QG(nC) 96
耗散功率PD(W) 145
品牌 新洁能

NCEP055N12G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5250
总栅极电荷 QG(nC) 99
耗散功率PD(W) 145
品牌 新洁能

NCEP065N12GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4100
总栅极电荷 QG(nC) 78
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP065N12AGU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP070N12AG | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4850
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能

NCEP080N12G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 85
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3715
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP090N12AGU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCEP10N12AG | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP10N12G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3080
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP11N12AGU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 57
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2800
总栅极电荷 QG(nC) 56
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP035N12VD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 190
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 12700
总栅极电荷 QG(nC) 213
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP030N12D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 215
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15500
总栅极电荷 QG(nC) 225
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEP035N12D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 190
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 12700
总栅极电荷 QG(nC) 213
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP040N12D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8760
总栅极电荷 QG(nC) 152
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能

NCEP050N12D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6880
总栅极电荷 QG(nC) 112
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能
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