简体 繁体 EN Maori bosnian Quechua a n:n zongjia hrvatski Eʋegbe Кыргыз тили suomi ТаjikӣName 한국어 albanian italiano baskoa ਪੰਜਾਬੀName potakuyan amharic Mizo tawng Soomaali frysk ελληνικά adeta کوردی سۆرانی ትግርኛ igbo português اوردو slovenščina Deutsch മലമാലം eesti keel मराठीName IsiZulu saseNingizimu Afrika luganda sesotho Malay български Македонски Türkçe Kurdî سنڌي LëtzebuergeschName ދިވާރީވް hmong پښتوName ဗာရမ် Արմենյան คนไทย Malagasy मरातिलीName Svenska कुकुरमुत्ता Kreyòl ayisyen Română తెలుగుName Монгол ກະຣຸນາ aymara. Pilipino 日本語 Iaith Weleg Gàidhlig na h-Alba Татар Україна latviešu galico Polski Sanskrit cebuano සිංගාපුර් català assamese Türkmençe Malti Lingala Tiếng Việt o'zbek Lietuva Bamanankan Shona ꯃꯦꯏꯇꯦꯏ꯫ Afrikaans isiXhosa ئۇيغۇر dansk IndonesiaName afrikaans lifiava azerbaijani বেঙ্গালী بالعربية தாமில் basa Sunda Ilocano magyar ಕನ್ನಡ್Name היברית Slovenská ភាសា​ខ្មែរName ગુજરાતી Íris Ma frɛ ייַדיש ÍslandName ଓଡିଆ Kiswahili қазақ Esperanto БеларускаяName हिन्दी basa jawa हमार कपार दर्द करता। Persian Српски Русский язык ჯორჯიანიName panekeʻhaka český Français नेपालीName Latina गोंगेन हें नांव Yoruba nederlands Norge dictionary variant Kinyarwanda ondoho hinaassicurasol Sepeti Español
登录 注册
返回
热门搜索： MLCC贴片电容 IGBT模块 MOSFET 肖特基二极管 电源管理IC

产品搜索结果

包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP25N10AD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP050N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 123
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6550
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP039N10MD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
输入电容CISS(pF) 9500
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP016N10LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 385
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
输入电容CISS(pF) 23100
总栅极电荷 QG(nC) 285
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEP020N10LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 330
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17000
总栅极电荷 QG(nC) 252
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP023N10LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17500
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEP026N10LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 280
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 13700
总栅极电荷 QG(nC) 185
耗散功率PD(W) 360
品牌 新洁能

NCEP023N10T | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 280
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17000
总栅极电荷 QG(nC) 252
耗散功率PD(W) 365
品牌 新洁能

NCEP026N10T | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14000
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP026N10F | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14000
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCEP039N10F | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 62
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6400
总栅极电荷 QG(nC) 102
耗散功率PD(W) 46
品牌 新洁能

NCEP045N10F | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 92
耗散功率PD(W) 43
品牌 新洁能

NCEP060N10F | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 52
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 74
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCEP080N10F | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3070
总栅极电荷 QG(nC) 53
耗散功率PD(W) 39
品牌 新洁能

NCEP18N10AR | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 9.5
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1719.5
总栅极电荷 QG(nC) 37.6
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
微信二维码
二维码
TOP 返回顶部