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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP25N10AR | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCEP082N10AS | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5580
总栅极电荷 QG(nC) 83
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP085N10AS | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 17
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4680
总栅极电荷 QG(nC) 76
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP092N10AS | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP11N10AS | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2950
总栅极电荷 QG(nC) 54
耗散功率PD(W) 3.4
品牌 新洁能

NCEP13N10AS | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 10
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 3.3
品牌 新洁能

NCEP065N10AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 85
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5580
总栅极电荷 QG(nC) 83
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能

NCEP068N10K | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3600
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP068N10AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4680
总栅极电荷 QG(nC) 76
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP078N10AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP11N10AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCEP18N10AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 42
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 19.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 23
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1719.5
总栅极电荷 QG(nC) 37.6
耗散功率PD(W) 72
品牌 新洁能

NCEP25N10AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP11N10AQU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEP12N10AQ | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 46
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 56
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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