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NCEP033N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8000
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能

NCEP033N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8000
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能

NCEP035N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10900
总栅极电荷 QG(nC) 162
耗散功率PD(W) 240
品牌 新洁能

NCEP035N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10900
总栅极电荷 QG(nC) 162
耗散功率PD(W) 240
品牌 新洁能

NCEP039N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9500
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP039N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9500
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP040N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6300
总栅极电荷 QG(nC) 110
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP040N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6300
总栅极电荷 QG(nC) 110
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP045N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 92
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP045N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 92
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP055N10M | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP055N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP060N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 74
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCEP065N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 93
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3100
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP072N10A | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 88
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4120
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能
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