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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP072N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 88
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3600
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能

NCEP080N10A | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP080N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3070
总栅极电荷 QG(nC) 53
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP095N10A | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2609
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP095N10 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2160
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEP012N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 400
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 19200
总栅极电荷 QG(nC) 284
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEP040N85MD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4050
总栅极电荷 QG(nC) 75
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP025N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 260
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9600
总栅极电荷 QG(nC) 142
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEP048N85MD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3780
总栅极电荷 QG(nC) 71
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP016N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 360
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15800
总栅极电荷 QG(nC) 245
耗散功率PD(W) 460
品牌 新洁能

NCEP018N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 320
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14500
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEP020N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 295
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9241.8
总栅极电荷 QG(nC) 149.2
耗散功率PD(W) 360
品牌 新洁能

NCEP030N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7200
总栅极电荷 QG(nC) 115
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP020N85T | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 320
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 13200
总栅极电荷 QG(nC) 205
耗散功率PD(W) 365
品牌 新洁能

NCEP023N85T | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 260
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11500
总栅极电荷 QG(nC) 200
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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