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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP018N60 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9433
总栅极电荷 QG(nC) 141
耗散功率PD(W) 255
品牌 新洁能

NCEP025N60 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 165
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5190
总栅极电荷 QG(nC) 78
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP035N60 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3200
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP035N60A | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 73
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP020N30QU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2400
总栅极电荷 QG(nC) 40.5
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP015N30GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3060
总栅极电荷 QG(nC) 49
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEP018N30GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2462
总栅极电荷 QG(nC) 43.4
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCEP020N30GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2400
总栅极电荷 QG(nC) 40.5
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP025N30G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 85
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2400
总栅极电荷 QG(nC) 40.5
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP030N30GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1626
总栅极电荷 QG(nC) 26.5
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCEP055N30GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 980
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCEP090N20LT | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLT
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 141
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 95
耗散功率PD(W) 490
品牌 新洁能

NCEP060N60AG | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2145
总栅极电荷 QG(nC) 28
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP066N60G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 66
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1500
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP027N10MVD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263-6L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15140
总栅极电荷 QG(nC) 210
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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