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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP026N10JT | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17500
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP060N60 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 92
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1700
总栅极电荷 QG(nC) 28.2
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCEP060N60AK | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能

NCEP020N60D | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 220
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5200
总栅极电荷 QG(nC) 79
耗散功率PD(W) 235
品牌 新洁能

NCEP020N60 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 220
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5200
总栅极电荷 QG(nC) 79
耗散功率PD(W) 235
品牌 新洁能

NCEP023N10VD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263-6L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 215
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17500
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP032N85AGU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.2
输入电容CISS(pF) 5804
总栅极电荷 QG(nC) 90.7
耗散功率PD(W) 165
品牌 新洁能

NCEP080N12F | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 46.5
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3715
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEP25N10AF | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 19
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 20
品牌 新洁能

NCEP090N20LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7430
总栅极电荷 QG(nC) 104
耗散功率PD(W) 490
品牌 新洁能

NCEP045N85G | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3600
总栅极电荷 QG(nC) 61
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP032N10MLL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 260
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9752
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEP011NH25QU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 25
漏极电流ID(A) 161
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2900
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 69
品牌 新洁能

NCEP015N85LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 370
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11820
总栅极电荷 QG(nC) 170
耗散功率PD(W) 480
品牌 新洁能

NCEP028N60AGU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3850
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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