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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP011N25QU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 25
漏极电流ID(A) 161
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.75
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2900
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 69
品牌 新洁能

NCEP040N85GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3360
总栅极电荷 QG(nC) 53
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP075N85GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2059
总栅极电荷 QG(nC) 41.4
耗散功率PD(W) 95
品牌 新洁能

NCEP008N30GU | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 395
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6300
总栅极电荷 QG(nC) 102
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP036N10MSL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 215
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9500
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能

NCEP018N10LL | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 320
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8776
总栅极电荷 QG(nC) 135.5
耗散功率PD(W) 415
品牌 新洁能

NCEP050N10MD | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 123
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6550
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP045N85 | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3600
总栅极电荷 QG(nC) 61
耗散功率PD(W) 198
品牌 新洁能

NCEP25ND10AG | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 47
品牌 新洁能

NCEP050N10MG | 30-200V N-Channel SGT-II MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 340
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.45
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6550
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE0270T | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 12400
总栅极电荷 QG(nC) 290
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCE0224 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 64
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4565.8
总栅极电荷 QG(nC) 91.9
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE0275T | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 24
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6990
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCE0275 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 24
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6990
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 370
品牌 新洁能

NCE0260T | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6200
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 290
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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