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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE0260P | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-3P
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6200
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCE0260 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6200
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCE0250D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5460
总栅极电荷 QG(nC) 150
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能

NCE0240F | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 36.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 41
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6500
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE0240 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 36.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 41
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6500
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCE0224DA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE0224AF | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE0224AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE0224A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE0224D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 64
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE0224F | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 64
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE0224K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 24
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 64
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4565.8
总栅极电荷 QG(nC) 91.9
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE0208IA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 260
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 280
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 320
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 540
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCE0208KA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 260
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 280
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 320
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 540
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCE0205IA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 580
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 540
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 600
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 580
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能
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