简体 繁体 EN Maori bosnian Quechua a n:n zongjia hrvatski Eʋegbe Кыргыз тили suomi ТаjikӣName 한국어 albanian italiano baskoa ਪੰਜਾਬੀName potakuyan amharic Mizo tawng Soomaali frysk ελληνικά adeta کوردی سۆرانی ትግርኛ igbo português اوردو slovenščina Deutsch മലമാലം eesti keel मराठीName IsiZulu saseNingizimu Afrika luganda sesotho Malay български Македонски Türkçe Kurdî سنڌي LëtzebuergeschName ދިވާރީވް hmong پښتوName ဗာရမ် Արմենյան คนไทย Malagasy मरातिलीName Svenska कुकुरमुत्ता Kreyòl ayisyen Română తెలుగుName Монгол ກະຣຸນາ aymara. Pilipino 日本語 Iaith Weleg Gàidhlig na h-Alba Татар Україна latviešu galico Polski Sanskrit cebuano සිංගාපුර් català assamese Türkmençe Malti Lingala Tiếng Việt o'zbek Lietuva Bamanankan Shona ꯃꯦꯏꯇꯦꯏ꯫ Afrikaans isiXhosa ئۇيغۇر dansk IndonesiaName afrikaans lifiava azerbaijani বেঙ্গালী بالعربية தாமில் basa Sunda Ilocano magyar ಕನ್ನಡ್Name היברית Slovenská ភាសា​ខ្មែរName ગુજરાતી Íris Ma frɛ ייַדיש ÍslandName ଓଡିଆ Kiswahili қазақ Esperanto БеларускаяName हिन्दी basa jawa हमार कपार दर्द करता। Persian Српски Русский язык ჯორჯიანიName panekeʻhaka český Français नेपालीName Latina गोंगेन हें नांव Yoruba nederlands Norge dictionary variant Kinyarwanda ondoho hinaassicurasol Sepeti Español
登录 注册
返回
热门搜索： MLCC贴片电容 IGBT模块 MOSFET 肖特基二极管 电源管理IC

产品搜索结果

包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE0203S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 3.9
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 56
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 79
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE0202M | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 580
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 540
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 600
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 580
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE0202ZA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-92
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 580
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 540
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 600
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 580
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE1826K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 180
漏极电流ID(A) 26
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4118
总栅极电荷 QG(nC) 90.7
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE1810AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 180
漏极电流ID(A) 10
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 172
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 180
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 220
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCE1805S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 180
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4118
总栅极电荷 QG(nC) 90.7
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE1579C | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 79
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7200
总栅极电荷 QG(nC) 160
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能

NCE1570 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6644
总栅极电荷 QG(nC) 148.4
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能

NCE1550F | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3250
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCE1550 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6313.1
总栅极电荷 QG(nC) 151
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCE1540KA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.05
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 48
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 4300
总栅极电荷 QG(nC) 63.8
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE1540AD | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.05
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 48
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 105
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE1540I | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 105
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE1540K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 105
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE1520KA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2500
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
微信二维码
二维码
TOP 返回顶部