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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE1520K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1810
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCE1520 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 70
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCE1512IA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE1507AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 255
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 290
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 550
总栅极电荷 QG(nC) 17.6
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE1505S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 5.2
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 44
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1700
总栅极电荷 QG(nC) 35.8
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCE1504R | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 4
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 4
品牌 新洁能

NCE1502R | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 260
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 300
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 235
总栅极电荷 QG(nC) 8
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE1490 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 140
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8000
总栅极电荷 QG(nC) 160
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能

NCE1102N | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 110
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 220
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 270
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 260
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 300
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 190
总栅极电荷 QG(nC) 5.2
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE0140AK2 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4700
总栅极电荷 QG(nC) 119
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE0157A2D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 57
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3969
总栅极电荷 QG(nC) 146.1
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE0102A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 2.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 220
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 240
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 406
总栅极电荷 QG(nC) 13.6
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE01H13D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7100
总栅极电荷 QG(nC) 170
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCE01H13 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7100
总栅极电荷 QG(nC) 170
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCE01H11 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6500
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能
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