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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE0107AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 138
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 144
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 180
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 20.6
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE0106AR | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 108
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 115
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 140
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 892
总栅极电荷 QG(nC) 25.2
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE0106ZA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-92
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 108
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 115
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 140
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 892
总栅极电荷 QG(nC) 25.2
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE0106R | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 110
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 140
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 150
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 690
总栅极电荷 QG(nC) 15.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE0106Z | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-92
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 110
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 140
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 130
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 150
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 690
总栅极电荷 QG(nC) 15.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE0104AN | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 4
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 84
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 94
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 118
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 882
总栅极电荷 QG(nC) 24.1
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE0103Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 138
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 142
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 175
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE0103M | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 137
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 140
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 175
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE0103 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 138
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 142
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 175
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE0102M | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 210
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 240
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 240
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 230
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 190
总栅极电荷 QG(nC) 5.2
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE0102E * | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 195
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 230
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 240
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 250
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 355.2
总栅极电荷 QG(nC) 11.3
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE0102 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 190
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 230
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 250
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 360.6
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE0102Z | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-92
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 210
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 240
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 240
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 260
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 190
总栅极电荷 QG(nC) 5.2
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

BSS123K* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 0.17
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6100
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6800
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6500
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8000
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 29
总栅极电荷 QG(nC) 1.7
耗散功率PD(W) 0.35
品牌 新洁能

NCE85H25T | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 16880
总栅极电荷 QG(nC) 296
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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