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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE85H25 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 16880
总栅极电荷 QG(nC) 296
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能

NCE85H21TC | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7600
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCE85H21C | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7600
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCE85H21 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11000
总栅极电荷 QG(nC) 250
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能

NCE8295AG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5633
总栅极电荷 QG(nC) 109.3
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能

NCE8295AI | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5633
总栅极电荷 QG(nC) 109.3
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能

NCE82H160D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11180
总栅极电荷 QG(nC) 201
耗散功率PD(W) 285
品牌 新洁能

NCE8295AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 67
关断阈值电压VTH(V) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5633
总栅极电荷 QG(nC) 109.3
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能

NCE82H160 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 2.85
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11180
总栅极电荷 QG(nC) 210
耗散功率PD(W) 290
品牌 新洁能

NCE82H140D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7900
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCE82H140LL | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7900
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCE82H140 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7900
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCE8295AD | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5633
总栅极电荷 QG(nC) 109.3
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能

NCE8290B | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 2.85
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3364
总栅极电荷 QG(nC) 89.5
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE8290 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 2.85
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4871
总栅极电荷 QG(nC) 85.7
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能
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