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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE6080ED | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6003 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 105
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 125
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 510
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE60H28LL | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 280
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10816
总栅极电荷 QG(nC) 197
耗散功率PD(W) 296
品牌 新洁能

NCE6080D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6080EK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6080AI | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6065G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 52
品牌 新洁能

NCE6065AG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 52
品牌 新洁能

NCE6045XAG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE6042AG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 42
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 42
品牌 新洁能

NCE6025Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCE6020AQ | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973.2
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 20
品牌 新洁能

NCE6005AS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 979
总栅极电荷 QG(nC) 22
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE60ND45XG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE60ND45AG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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