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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE60ND03S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 96
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 510
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE60ND03N | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 73
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 84
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 82
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 98.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 510
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE60H15AT | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7820
总栅极电荷 QG(nC) 152
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCE2308X | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 110
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 270
总栅极电荷 QG(nC) 10.2
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE6003XY | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 110
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 270
总栅极电荷 QG(nC) 10.2
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE6045XG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE6009XS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 2.6
品牌 新洁能

NCE60ND08S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 2.1
品牌 新洁能

NCE6080AT | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90.3
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6003XM | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 110
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 270
总栅极电荷 QG(nC) 11.5
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE60H15AD | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7872
总栅极电荷 QG(nC) 152
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCE60H15A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7872
总栅极电荷 QG(nC) 152
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCE60H10F | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5200
总栅极电荷 QG(nC) 97.5
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE60H10K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCE60H10 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能
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