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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE6080AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90.3
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6080A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90.3
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6080K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6080 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 90.3
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE6058K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2498
总栅极电荷 QG(nC) 36
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE6058 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2498
总栅极电荷 QG(nC) 36
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE6050A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE6050IA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE6050KA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE6045G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2180
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE6030K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 36
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1900
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE6525Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCE6020A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 500
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE6020AI | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973.2
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE6020AL | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251S
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973.2
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能
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