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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE6020AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973.2
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE6012CS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3080
总栅极电荷 QG(nC) 55.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE6012AS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4100
总栅极电荷 QG(nC) 93
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE6010J | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 10
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 570
总栅极电荷 QG(nC) 25.3
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE6009AS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2180
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 2.6
品牌 新洁能

NCE6008AS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 1.8
品牌 新洁能

NCE6007S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 36
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1920
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE6005AN | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 979
总栅极电荷 QG(nC) 22
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE6005AR | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 979
总栅极电荷 QG(nC) 22
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE3055 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 73
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 247
总栅极电荷 QG(nC) 6
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE6003M | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 105
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 125
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 510
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE6003Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 105
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 125
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 510
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE6003X | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 110
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 270
总栅极电荷 QG(nC) 10.2
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE72R60D * | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 1*1
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 0.41
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1800
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1900
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3000
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 21
总栅极电荷 QG(nC) 1.7
耗散功率PD(W) 0.35
品牌 新洁能

2N7002K * | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 0.3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1800
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1950
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3000
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 20
总栅极电荷 QG(nC) 1.7
耗散功率PD(W) 0.35
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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