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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE55H12 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 55
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4900
总栅极电荷 QG(nC) 125
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCE5520Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 55
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1340
总栅极电荷 QG(nC) 21
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCE5080K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 50
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3600
总栅极电荷 QG(nC) 65
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCE5055K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 50
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1760
总栅极电荷 QG(nC) 35.4
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE5020Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 50
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1340
总栅极电荷 QG(nC) 21
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCE5015S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 50
漏极电流ID(A) 15
关断阈值电压VTH(V) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4100
总栅极电荷 QG(nC) 93
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE4558K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 45
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1800
总栅极电荷 QG(nC) 36.8
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE4528K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 45
漏极电流ID(A) 28
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 964
总栅极电荷 QG(nC) 22.9
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE40H11K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 84
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCE40H25LL | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10331
总栅极电荷 QG(nC) 239
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能

NCE40H10K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4585
总栅极电荷 QG(nC) 85
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCE40H32LL | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 320
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11635
总栅极电荷 QG(nC) 249
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCE40H30D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11635
总栅极电荷 QG(nC) 249
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能

NCE40H29D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 290
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10331
总栅极电荷 QG(nC) 239
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能

NCE40H21 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11331
总栅极电荷 QG(nC) 239
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能
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