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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE40H12 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE40H12K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 75
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE4090G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCE4080K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2662
总栅极电荷 QG(nC) 54.3
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE4080 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4010
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE4060K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1800
总栅极电荷 QG(nC) 29
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCE4015S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 15
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3090
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 3.1
品牌 新洁能

NCE4012S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1780
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE4009S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 24
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 964
总栅极电荷 QG(nC) 22.9
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE30H15BK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5235
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE30H15B | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5235
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE3008XM | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 9.3
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCE3406AN | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 33
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 9.3
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE3065K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1400
总栅极电荷 QG(nC) 32.3
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCE3400XY | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.1
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 9.3
耗散功率PD(W) 1.3
品牌 新洁能
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