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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE3025G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1593.9
总栅极电荷 QG(nC) 32.6
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE3025Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1530
总栅极电荷 QG(nC) 32.3
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCE8736 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 21
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2987
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3020Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1210
总栅极电荷 QG(nC) 27.5
耗散功率PD(W) 20
品牌 新洁能

NCE3018AS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 18
关断阈值电压VTH(V) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 41
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE3015S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 15
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1400
总栅极电荷 QG(nC) 32.3
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3013J | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 13
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1066
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE3011E* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1155
总栅极电荷 QG(nC) 17.5
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3010S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 10
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1550
总栅极电荷 QG(nC) 13
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3009S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 9
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1210
总栅极电荷 QG(nC) 17.5
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3008M | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 22.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 564
总栅极电荷 QG(nC) 14.2
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3008N | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 784
总栅极电荷 QG(nC) 19.4
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE3008Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 784
总栅极电荷 QG(nC) 19.4
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE3406N | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 41
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 820
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE3400 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 41
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 57
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 820
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能
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