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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE3400AY | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 52
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 825
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE3400A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 53
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 825
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE3404Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485.8
总栅极电荷 QG(nC) 12.6
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE3404 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 43
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485.8
总栅极电荷 QG(nC) 12.6
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE3400E* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.3
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 597
总栅极电荷 QG(nC) 9.1
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE3400X | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.1
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 9.3
耗散功率PD(W) 1.3
品牌 新洁能

NCE2304 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 3.6
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 73
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 230
总栅极电荷 QG(nC) 4
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE3402A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 70
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 235
总栅极电荷 QG(nC) 4.7
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE3402 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 75
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 235
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE3420X | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 655
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE2312X | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 655
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE2090K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 2016
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCE2060K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 2800
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE2030 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1544
总栅极电荷 QG(nC) 23.5
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE2030U | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-262
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能
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