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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE2030K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1544
总栅极电荷 QG(nC) 23.5
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE2025S | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 5300
总栅极电荷 QG(nC) 64.9
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE2025I | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 900
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE2014ES* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 1710
总栅极电荷 QG(nC) 17.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE2012 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 12
关断阈值电压VTH(V) 0.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3416* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6.5
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 660
总栅极电荷 QG(nC) 8
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE3420 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 424.5
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE2006Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 620
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE2312A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 780
总栅极电荷 QG(nC) 11
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE2312 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 500
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE2004Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 4
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 550
总栅极电荷 QG(nC) 6
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2302 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 4
关断阈值电压VTH(V) 0.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 59
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 300
总栅极电荷 QG(nC) 4
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2302B | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 3.3
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 29
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 260
总栅极电荷 QG(nC) 2.9
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2302C | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 42
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 240
总栅极电荷 QG(nC) 2.7
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE2302D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 1.7
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 300
总栅极电荷 QG(nC) 4
耗散功率PD(W) 0.7
品牌 新洁能
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