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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE1012E* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-523
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 0.6
关断阈值电压VTH(V) 0.75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 210
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 350
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 310
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 500
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE3134* | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 0.5
关断阈值电压VTH(V) 0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 225
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 380
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 335
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 450
开启阈值电压VGS(th)(V) ±10
输入电容CISS(pF) 690
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 0.9
品牌 新洁能

NCE1608N | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 16
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 12.9
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1150
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE6058A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 176
品牌 新洁能

NCE3008BY | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23-3L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 8
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 520.1
总栅极电荷 QG(nC) 27.9
耗散功率PD(W) 1.47
品牌 新洁能

NCE022NV40GU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 165
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4410
总栅极电荷 QG(nC) 110
耗散功率PD(W) 104
品牌 新洁能

NCE2006NE | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 850
总栅极电荷 QG(nC) 12.5
耗散功率PD(W) 1.47
品牌 新洁能

NCE093N60K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2179
总栅极电荷 QG(nC) 54.2
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCE2025AS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 5491
总栅极电荷 QG(nC) 71.7
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE6075 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2350
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE035NV40GU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2715
总栅极电荷 QG(nC) 68.3
耗散功率PD(W) 71
品牌 新洁能

NCE035NV40QU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2715
总栅极电荷 QG(nC) 68.3
耗散功率PD(W) 53
品牌 新洁能

NCE50N60EY | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3.8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 71
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 617
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.54
品牌 新洁能

NCE0110BS | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 10
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4714.4
总栅极电荷 QG(nC) 110
耗散功率PD(W) 3.9
品牌 新洁能

NCE4030K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 964
总栅极电荷 QG(nC) 22.9
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能
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