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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE4028G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 28
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 964
总栅极电荷 QG(nC) 22.9
耗散功率PD(W) 36
品牌 新洁能

NCE0205KA | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 580
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 530
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 39
品牌 新洁能

NCE6015K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 15
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 42.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 448
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 673
总栅极电荷 QG(nC) 20.1
耗散功率PD(W) 22.7
品牌 新洁能

NCE4095BG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4910
总栅极电荷 QG(nC) 107
耗散功率PD(W) 52
品牌 新洁能

NCE4095G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4308
总栅极电荷 QG(nC) 93.2
耗散功率PD(W) 56.8
品牌 新洁能

NCE40H35 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 350
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10740
总栅极电荷 QG(nC) 196.7
耗散功率PD(W) 576
品牌 新洁能

NCE3090BK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3919
总栅极电荷 QG(nC) 79.7
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE3050WK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1944
总栅极电荷 QG(nC) 54.8
耗散功率PD(W) 41
品牌 新洁能

NCE30H15WK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7502.7
总栅极电荷 QG(nC) 220
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCE020NV30QU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2937
总栅极电荷 QG(nC) 64
耗散功率PD(W) 58
品牌 新洁能

NCE3080WK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2335
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 90
品牌 新洁能

NCE018NV30GU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 154
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2937
总栅极电荷 QG(nC) 64
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCE4090BG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3778.1
总栅极电荷 QG(nC) 79.4
耗散功率PD(W) 51
品牌 新洁能

NCE090N60AQ | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 41
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2155
总栅极电荷 QG(nC) 52.6
耗散功率PD(W) 37
品牌 新洁能

NCE3020EK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 27
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 593
总栅极电荷 QG(nC) 22.8
耗散功率PD(W) 32
品牌 新洁能
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