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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE3018Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 18
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 610.2
总栅极电荷 QG(nC) 16.04
耗散功率PD(W) 15.5
品牌 新洁能

NCE40H21A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9800
总栅极电荷 QG(nC) 191
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCE11N60K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 52
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1564.2
总栅极电荷 QG(nC) 42.3
耗散功率PD(W) 76.9
品牌 新洁能

NCE50N60E | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3.8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 71
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 617
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 1.54
品牌 新洁能

NCE012N30GU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 255
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.05
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4040
总栅极电荷 QG(nC) 104
耗散功率PD(W) 129
品牌 新洁能

NCE025N40 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 165
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6116
总栅极电荷 QG(nC) 155
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE0130K2 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 29
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3824
总栅极电荷 QG(nC) 91.9
耗散功率PD(W) 58.3
品牌 新洁能

NCE40H12BK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4910
总栅极电荷 QG(nC) 107
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE0102Y | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 2
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 190
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 220
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 240
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 360.6
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE09N70AT | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 70
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8763
总栅极电荷 QG(nC) 128
耗散功率PD(W) 474
品牌 新洁能

NCE020N30 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7264
总栅极电荷 QG(nC) 156.1
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE30H11B | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2700
总栅极电荷 QG(nC) 56
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能

NCE035N30 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 105
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2545
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能

NCE50N60EK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 14.5
关断阈值电压VTH(V) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 51
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 47
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 54
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 617
总栅极电荷 QG(nC) 20
耗散功率PD(W) 24.2
品牌 新洁能

NCE064N40Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 53
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 43
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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